emmc nandrive 文章 進入emmc nandrive技術(shù)社區(qū)
江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC
- 受原廠減產(chǎn),以及需求逐步復(fù)蘇的影響拉動,目前半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)進入上行周期,存儲晶圓以及存儲器的價格均較年初有明顯上升,半導(dǎo)體存儲行業(yè)目前處于上行復(fù)蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領(lǐng)先廠商,公司在eMMC向UFS過渡關(guān)鍵時點仍然擁有領(lǐng)先的市場地位及技術(shù)優(yōu)勢,公司持續(xù)對UFS標準的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā),公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟建設(shè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯,形成如今相對專業(yè)和獨立的地位。與浮動較多的消費級市場相比,更為穩(wěn)定的工控市場已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤
- 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024),4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列(BGA)固態(tài)硬盤,該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應(yīng)用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價格敏感但是要求高可靠的應(yīng)用而準備,工作在寬溫(-25oC至+85oC)環(huán)境下,支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯為工業(yè)控制和智能交通應(yīng)用的客戶提供高可靠NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤樣品
- 綠芯正在提供其新推出的NVMe NANDrive??BGA封裝的固態(tài)硬盤樣品,以滿足其用戶在高壓力、嚴苛工作環(huán)境的嵌入式應(yīng)用中要求高可靠、高性能的數(shù)據(jù)存儲需求。NVMe NANDrive固態(tài)硬盤工作溫度-40oC至+95oC,支持PCIe Gen3x4接口,采用行業(yè)標準的M.2 1620(16 x 20mm,291球)BGA封裝。欲了解更多NVMe NANDrive 產(chǎn)品信息,請訪問https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。綠芯總經(jīng)理王序倫表示:"基于綠芯在PATA、SA
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價比VX系列固態(tài)硬盤,以擴展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合
- EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達40萬擦寫次數(shù); 高性價比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國,北京和美國,硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導(dǎo)體新推出的高性價比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝,搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit),可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!
- 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時,計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案
- 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司(TSMC)行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴展其IP產(chǎn)品,用于臺積公司22nm工藝SoC設(shè)計的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機控制器IP和軟件無縫集成,從
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關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣??! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動存儲器儲存新主流
- 通用快閃存儲器標準(UFS)可望取代eMMC,成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流,將成為未來旗艦手機標準配備,吸引存儲器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭相推出產(chǎn)品卡位。 隨著4K影音與虛擬實境等技術(shù)日漸成熟,引爆旗艦智能手機對更高速、超高畫質(zhì)影音的儲存需求,研調(diào)機構(gòu)IHS預(yù)期,UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC,成為移動存儲器儲存系統(tǒng)新主流。 瞄準UFS未來發(fā)展?jié)摿?,群?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲器控制芯片PS8311,預(yù)計今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計劃今年再推出一系列UFS芯片
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emmc nandrive介紹
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